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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

通信基礎(chǔ)設(shè)施的熱插拔

我們的電信基礎(chǔ)設(shè)施全天候運(yùn)行,其中大部分使用基于機(jī)架的永久性48 V系統(tǒng)。因此,驅(qū)動(dòng)這些系統(tǒng)的電路板和器件必須能夠“熱插拔”,以進(jìn)行升級(jí)和維護(hù),而無需關(guān)閉設(shè)備電源。

功能框圖

Highlighted components are Nexperia focus products

設(shè)計(jì)考慮因素

  • 當(dāng)電路板插入運(yùn)行中的系統(tǒng)時(shí),重要的是要謹(jǐn)慎地控制沖擊電流,以保護(hù)電路板上的器件并確保系統(tǒng)的其他部分不會(huì)遭遇電源中斷。
  • 為高效可靠地控制該電流,需要使用具有出色線性模式性能和寬安全工作區(qū)域(SOA)的MOSFET
  • 一旦安全地完成了替換電路板的安裝,MOSFET便會(huì)轉(zhuǎn)為完全開啟。在這種工作模式下,最重要的是低RDS(on)值,它可保證溫度盡可能的低且系統(tǒng)效率最高

Nexperia實(shí)際應(yīng)用

評(píng)估集成PMBus的ADM1272高壓正熱插拔控制器及數(shù)字功率監(jiān)控器”中引用的PSMN4R8-100BSE  

Nexperia實(shí)際應(yīng)用

評(píng)估集成PMBus的ADM1272高壓正熱插拔控制器及數(shù)字功率監(jiān)控器”中引用的PSMN4R8-100BSE  

The importance of SOA - Quick Learning

When a MOSFET is selected for a high power designs, engineers often select a device based on its on-resistance. Lower on-resistance results in MOSFETs with lower power loss, which in turn indicates less heating and safer operation for the device.

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