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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

SOT429-3

SOT429-3

Plastic single-ended through-hole package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-247-3L

外形圖

封裝版本 封裝名稱 封裝說明 參考 發(fā)行日期
SOT429-3 TO-247-3L Plastic single-ended through-hole package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-247-3L 2023-12-05

相關(guān)文檔

文件名稱 標題 類型 日期
SOT429-3 Plastic single-ended through-hole package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-247-3L Package information 2023-12-07

采用此封裝的產(chǎn)品

GaN FETs

型號 描述 快速訪問
GAN041-650WSB 650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package
GAN111-650WSB 650 V, 97 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package
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