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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車(chē)應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

74ABT04DB

Hex inverter

The 74ABT04 is a hex inverter. This device is fully specified for partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry disables the output, preventing the potentially damaging backflow current through the device when it is powered down.

此產(chǎn)品已停產(chǎn)

Features and benefits

  • Supply voltage range from 4.5 V to 5.5 V

  • BiCMOS high speed and output drive

  • Direct interface with TTL levels

  • IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation

  • Latch-up protection exceeds 500 mA per JESD78B class II level A

  • ESD protection:

    • HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 class 2 exceeds 2000 V

    • CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 class C3 exceeds 1000 V

  • Specified from -40 °C to +85 °C

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封裝

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào),(訂購(gòu)碼(12NC)) 狀態(tài) 標(biāo)示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
74ABT04DB 74ABT04DB,112
(935207000112)
Obsolete no package information
74ABT04DB,118
(935207000118)
Obsolete

環(huán)境信息

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào) 化學(xué)成分 RoHS RHF指示符
74ABT04DB 74ABT04DB,112 74ABT04DB rohs rhf rhf
74ABT04DB 74ABT04DB,118 74ABT04DB rohs rhf rhf
品質(zhì)及可靠性免責(zé)聲明

文檔 (3)

文件名稱(chēng) 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
74ABT04 Hex inverter Data sheet 2024-01-18
abt04 abt04 IBIS model IBIS model 2013-04-08
abt abt Spice model SPICE model 2013-05-07

支持

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模型

文件名稱(chēng) 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
abt04 abt04 IBIS model IBIS model 2013-04-08
abt abt Spice model SPICE model 2013-05-07

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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