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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

雙低VCEsat (BISS)功率晶體管

使您的設(shè)計保持最低功耗和發(fā)熱

我們的‘突破性小信號’(BISS)晶體管名副其實,在提供最優(yōu)電源性能的同時節(jié)省空間。這些低VCEsat器件與采用同樣封裝的標(biāo)準(zhǔn)晶體管相比,功率耗損更低, 能效更高。它們的靈活性更高,可幫助簡化電路布局,且采用更小型的封裝,為您節(jié)省寶貴的PCB空間。

參數(shù)搜索

Low VCEsat (BISS) power transistors double
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產(chǎn)品

型號 描述 狀態(tài) 快速訪問
LFPAK bipolar transistors Nexperia bipolar transistors in LFPAK56 and LFPAK56D - the true power packages for smart efficiency ACT
PHPT610030NK-Q NPN/NPN high power double bipolar transistor Production
PHPT610030PK-Q PNP/PNP high power double bipolar transistor Production
PBSS4160DPN-Q 60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat transistor Production
PHPT610030NPK-Q NPN/PNP high power double bipolar transistor Production
PHPT610035NK-Q NPN/NPN high power double bipolar transistor Production
PHPT610035PK-Q PNP/PNP matched high power double bipolar transistor Production
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Marcom graphics (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
LFPAK56D_SOT1205_mk.png plastic, single ended surface mounted package (LFPAK56D); 8 leads; 1.27 mm pitch; 4.7 mm x 5.3 mm x 1.05 mm body Marcom graphics 2017-01-28

Selection guide (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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