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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

雙低VCEsat (BISS)晶體管

要獲得設(shè)計優(yōu)勢，請使用我們的雙BISS

如果您的設(shè)計必須維持低功耗和減少發(fā)熱，我們的低VCEsat (BISS)器件是理想的解決方案。這些器件具備高能效和高集電極電流特性（憑借創(chuàng)新的網(wǎng)狀發(fā)射極技術(shù)）。

主要特性和優(yōu)勢

  • 更小電路板空間、更高性能
  • 高集電極電流增益hFE（高IC
  • 時）低集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat及相應(yīng)的電阻RCEsat（最低<30 mΩ）
  • SOT89、SOT223、TO-126和DPAK等較大功率、中等功率晶體管的高性價比替代選擇
  • 高集電極電流增益IC和ICM

關(guān)鍵應(yīng)用

  • LAN和ADSL系統(tǒng)的電源開關(guān)/中等功率DC-DC轉(zhuǎn)換
  • 反向器應(yīng)用，如TFT顯示屏
  • 中等功率外設(shè)驅(qū)動器，如風(fēng)扇、馬達
  • 電池充電器/負載開關(guān)
  • 適合數(shù)碼相機與移動電話的頻閃閃光燈

參數(shù)搜索

Low VCEsat (BISS) transistors double
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參數(shù)搜索不可用。

產(chǎn)品

型號 描述 狀態(tài) 快速訪問
PBSS2515YPN-Q 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor Production
PBSS4112PAN-Q 120 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Production
PBSS4112PANP-Q 120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Production
PBSS4130PAN-Q 30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor Production
PBSS4130PANP 30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat transistor Production
PBSS4140DPN-Q 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor Production
PBSS4160DS-Q 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor Production
PBSS4160PAN-Q 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor Production
PBSS4160PANP-Q 60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat transistor Production
PBSS4160PANPS 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Production
PBSS4160PANS-Q 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor Production
PBSS4220PANS-Q 20 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat double transistor Production
PBSS4230PAN-Q 30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat transistor Production
PBSS4230PANP 30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Production
PBSS4240DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor Production
PBSS4260PAN-Q 60 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat transistor Production
PBSS4260PANP-Q 60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat transistor Production
PBSS4260PANPS-Q 60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat double transistor Production
PBSS4260PANS-Q 60 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat double transistor Production
PBSS4350SPN 50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor EndOfLife
PBSS4350SS 50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor EndOfLife
PBSS5112PAP 120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor EndOfLife
PBSS5130PAP-Q 30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistor Production
PBSS5160DS-Q 60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistor Production
PBSS5160PAP-Q 60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat double transistor Production
PBSS5160PAPS-Q 60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat double transistor Production
PBSS5220PAPS-Q 20V, 2 A PNP/PNP low VCEsat double transistor Production
PBSS5230PAP-Q 30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat double transistor Production
PBSS5255PAPS-Q 55V, 2A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistor Production
PBSS5260PAP-Q 60 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat double transistor Production
PBSS5260PAPS-Q 60 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat double transistor Production
PBSS5350SS 50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor EndOfLife
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Marcom graphics (1)
文件名稱 標題 類型 日期
DFN2020D-6_SOT1118D_mk.png plastic, thermally enhanced ultra thin and small outline package; 6 terminals; 0.65 mm pitch; 2 mm x 2 mm x 0.65 mm body Marcom graphics 2017-01-28

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交叉參考

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