Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品為行業(yè)領(lǐng)先的Qrr品質(zhì)因數(shù)80 ...

新生產(chǎn)線提高了產(chǎn)能，力求滿足及時供應(yīng)

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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)更高功率密度

領(lǐng)先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性

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Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關(guān)應(yīng)用提高效率

新器件已通過AEC-Q101認(rèn)證，支持高達(dá)100 V的電壓和20 A的電流，開關(guān)損耗低且安全工作區(qū)域增大

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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

功率GaN解決方案可以減少器件數(shù)量、縮小外形尺寸并降低系統(tǒng)成本

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Nexperia推出適用于汽車應(yīng)用中高速接口的新型ESD保護(hù)器件

用于汽車多媒體和視頻鏈路應(yīng)用的高性能4通道ESD保護(hù)，提供出色的信號完整性

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Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作

滿足新能源汽車動力系統(tǒng)不斷提升的技術(shù)需求

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Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品

節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能

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Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出

通過新投資支持全球戰(zhàn)略，滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù)

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Nexperia發(fā)布用于高速數(shù)據(jù)線路的緊湊型“二合一”保護(hù)器件

面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系統(tǒng)穩(wěn)健性

Nexperia首次推出 用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET

器件可完全避免尖峰和脈沖的影響

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