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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

NexperiaMOSFET為熱交換設(shè)計提供最佳安全操作區(qū)和改進的導通阻抗RDS(on)
  • 新聞稿
十月 08, 2018

NexperiaMOSFET為熱交換設(shè)計提供最佳安全操作區(qū)和改進的導通阻抗RDS(on)

確保同時滿足對保護功能和運行效率的要求

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Nexperia微型無引腳封裝的新型175°C AEC-Q101 MOSFET可實現(xiàn)自動光學檢測
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Nexperia發(fā)布了無需向下掩模即可使用的最小封裝邏輯
  • 新聞稿
八月 27, 2018

Nexperia發(fā)布了無需向下掩模即可使用的最小封裝邏輯

可降低組裝成本并提高可靠性的微型4引腳器件,間距≥ 0.4mm

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Nexperia推出全新用于Type-C型USB的ESD保護系列, 可提供業(yè)界最高的浪涌抗擾度和最低的觸發(fā)電壓
  • 新聞稿
七月 05, 2018

Nexperia推出全新用于Type-C型USB的ESD保護系列, 可提供業(yè)界最高的浪涌抗擾度和最低的觸發(fā)電壓

針對新型系統(tǒng)保護配置而優(yōu)化了USB3.2 SuperSpeed的全新解決方案

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六月 05, 2018

Nexperia新推出的LFPAK56 MOSFET改善了爬電距離與電氣間隙, 并且符合UL2595標準

業(yè)界唯一與Power-SO8占用空間兼容且符合新電池供電設(shè)備標準的器件

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六月 05, 2018

Nexperia推出最低0.9 mΩ RDS(on)的汽車級MOSFET

高效率節(jié)省空間和系統(tǒng)成本,非常適合安全關(guān)鍵型設(shè)計

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四月 19, 2018

Nexperia獲得用于支持未來增長計劃的8億美元融資

分立器件、邏輯器件和MOSFET器件的全球領(lǐng)導者Nexperia今天宣布,該公司已成功完成對現(xiàn)有信貸的再融資,獲得了等值8億美元的優(yōu)先信貸額度,其中包括很大比例的循環(huán)信貸額度。所得款項將用于償 ...

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三月 19, 2018

Nexperia標準器件行業(yè)峰會圓滿落幕

中國半導體集成電路及標準器件的產(chǎn)業(yè)格局和行業(yè)趨勢

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三月 06, 2018

Nexperia著力擴建的廣東新組裝與測試工廠正式投產(chǎn)

公司全年總產(chǎn)量超過1千億件

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Nexperia推出了多種節(jié)省空間的PN和Trench肖特基整流器
  • 新聞稿
二月 27, 2018

Nexperia推出了多種節(jié)省空間的PN和Trench肖特基整流器

小尺寸,高性能——面向未來的解決方案

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