Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

采用易于使用的封裝，適用于可穿戴設(shè)備和大批量應(yīng)用

安世半導(dǎo)體CEO Frans Scheper退休 張學(xué)政就任安世半導(dǎo)體CEO

2020年3月24日，Nexperia對外宣布，Nexperia首席執(zhí)行官Frans ...

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Nexperia推出首款支持USB4標準的ESD保護器件

TrEOS二極管完全支持USB4TM標準；具有低鉗位、低電容、低泄露特性，極高的魯棒性

Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計

領(lǐng)先的汽車咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件

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Nexperia 針對汽車以太網(wǎng)推出具有開創(chuàng)性 并且符合 OPEN Alliance 標準的硅基 ...

分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業(yè)制造商 Nexperia，今天宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網(wǎng)系統(tǒng)推出業(yè)界領(lǐng)先且符合 OPEN ...

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安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品，籍此擴展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能

同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷

新的所有權(quán)將為 Nexperia 帶來新機遇

聞泰取得了 Nexperia 的控股權(quán)

Nexperia 針對超高速 USB推出了支持業(yè)界最高傳輸速度 集成 ESD 保護的共模濾波器

最高的差分帶寬；高浪涌魯棒性和低鉗位

Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

成熟耐用的工藝、產(chǎn)能可擴展、可批量應(yīng)用

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MJD 雙極晶體管（高達 8 A）豐富了 Nexperia 功率產(chǎn)品系列

符合 AEC-Q101 標準的高質(zhì)量、高可靠性元件

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