Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能

雙MOSFET器件通過節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性，簡化汽車電磁閥控制電路。

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Nexperia推出符合AEC-Q101標準的無引腳CAN-FD保護二極管，具有行業(yè)領先的ESD性能

兼容AOI；出色的RF性能

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Nexperia建立新的特定型應用FET類別以優(yōu)化性能

“ASFET”采用專為特定應用量身定制的MOSFET參數(shù)

Nexperia推出首款帶可焊性側面、采用DFN封裝的LED驅動器

符合AEC-Q101標準的DFN2020D-6器件可節(jié)省90%PCB空間；可焊性側面可實現(xiàn)自動光學檢測(AOI)并提高可靠性

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Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護的共模濾波器

具有超寬差分通帶的高效組合功能的器件

Nexperia全新車用TrEOS ESD保護器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度

具備行業(yè)基準性能的器件，符合AEC-Q101標準，可保護信息娛樂、多媒體和ADAS系統(tǒng)

Nexperia“Power Live”在線研討會于2020年7月2日和3日正式上線

參與有關GaN、鍺化硅、汽車應用、先進封裝等等主題的現(xiàn)場討論；觀看點播視頻演示

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Nexperia推出采用小型無引腳耐用型DFN封裝的符合AEC-Q101的分立半導體產品組合

相比現(xiàn)有SMD器件可節(jié)省90%空間，支持AOI檢測

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Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應用；新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK

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Nexperia的鍺化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、熱穩(wěn)定性，能夠節(jié)省空間

符合AEC-Q101標準的120 V、150 V和200 V設備兼具肖特基和快速恢復二極管的最佳屬性

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