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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

Nexperia與Avnet共同慶祝合作50周年
  • 新聞稿
十二月 11, 2018

Nexperia與Avnet共同慶祝合作50周年

兩大行業(yè)巨頭攜手交付性能卓越的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品

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NexperiaMOSFET為熱交換設(shè)計(jì)提供最佳安全操作區(qū)和改進(jìn)的導(dǎo)通阻抗RDS(on)
  • 新聞稿
十月 08, 2018

NexperiaMOSFET為熱交換設(shè)計(jì)提供最佳安全操作區(qū)和改進(jìn)的導(dǎo)通阻抗RDS(on)

確保同時(shí)滿足對(duì)保護(hù)功能和運(yùn)行效率的要求

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Nexperia發(fā)布了無需向下掩模即可使用的最小封裝邏輯
  • 新聞稿
八月 27, 2018

Nexperia發(fā)布了無需向下掩模即可使用的最小封裝邏輯

可降低組裝成本并提高可靠性的微型4引腳器件,間距≥ 0.4mm

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Nexperia推出全新用于Type-C型USB的ESD保護(hù)系列, 可提供業(yè)界最高的浪涌抗擾度和最低的觸發(fā)電壓
  • 新聞稿
七月 05, 2018

Nexperia推出全新用于Type-C型USB的ESD保護(hù)系列, 可提供業(yè)界最高的浪涌抗擾度和最低的觸發(fā)電壓

針對(duì)新型系統(tǒng)保護(hù)配置而優(yōu)化了USB3.2 SuperSpeed的全新解決方案

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六月 05, 2018

Nexperia新推出的LFPAK56 MOSFET改善了爬電距離與電氣間隙, 并且符合UL2595標(biāo)準(zhǔn)

業(yè)界唯一與Power-SO8占用空間兼容且符合新電池供電設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的器件

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六月 05, 2018

Nexperia推出最低0.9 mΩ RDS(on)的汽車級(jí)MOSFET

高效率節(jié)省空間和系統(tǒng)成本,非常適合安全關(guān)鍵型設(shè)計(jì)

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四月 19, 2018

Nexperia獲得用于支持未來增長(zhǎng)計(jì)劃的8億美元融資

分立器件、邏輯器件和MOSFET器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者Nexperia今天宣布,該公司已成功完成對(duì)現(xiàn)有信貸的再融資,獲得了等值8億美元的優(yōu)先信貸額度,其中包括很大比例的循環(huán)信貸額度。所得款項(xiàng)將用于償 ...

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三月 19, 2018

Nexperia標(biāo)準(zhǔn)器件行業(yè)峰會(huì)圓滿落幕

中國(guó)半導(dǎo)體集成電路及標(biāo)準(zhǔn)器件的產(chǎn)業(yè)格局和行業(yè)趨勢(shì)

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三月 06, 2018

Nexperia著力擴(kuò)建的廣東新組裝與測(cè)試工廠正式投產(chǎn)

公司全年總產(chǎn)量超過1千億件

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